ÉlDispositivo de protección contra sobretensiones(SPD) es un componente del sistema de protección de la instalación eléctrica.
Principio
Dispositivo de protección contra sobretensionesestá diseñado para limitar las sobretensiones transitorias de origen atmosférico y desviar las ondas de corriente a tierra, para limitar la amplitud de esta sobretensión a un valor que no sea peligroso para la instalación eléctrica y el interruptor eléctrico
Dispositivo de protección contra sobretensioneselimina sobretensiones
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En caso de sobretensión que supere el umbral de funcionamiento, el DPS
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Los tres tipos deDispositivo de protección contra sobretensiones
Tipo 1Dispositivo de protección contra sobretensiones
el tipo 1Dispositivo de protección contra sobretensionesSe recomienda en el caso específico de edificios industriales y de servicios, protegidos por un sistema de protección contra el rayo o una jaula enrejada.
Protege las instalaciones eléctricas contra los rayos directos. Puede descargar la contracorriente de un rayo que se propaga desde el conductor de tierra a los conductores de la red.
Tipo 1Dispositivo de protección contra sobretensionesse caracteriza por una onda de corriente de 10/350 µs.
Tipo 2Dispositivo de protección contra sobretensiones
el tipo 2Dispositivo de protección contra sobretensioneses el principal sistema de protección de todas las instalaciones eléctricas de baja tensión. Instalado en cada cuadro eléctrico, evita la propagación de sobretensiones en las instalaciones eléctricas y protege las cargas.
Tipo 2Dispositivo de protección contra sobretensionesse caracteriza por una onda de corriente de 8/20 µs.
Tipo 3Dispositivo de protección contra sobretensiones
EstasDispositivo de protección contra sobretensionesstienen una baja capacidad de descarga. Por lo tanto, deben instalarse obligatoriamente como complemento del DPS tipo 2 y en la proximidad de cargas sensibles.
Tipo 3Dispositivo de protección contra sobretensionesse caracteriza por una combinación de ondas de tensión (1,2/50 μs) y ondas de corriente (8/20 μs).
